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J-GLOBAL ID：201102208535381879   整理番号：11A0296114

実用化プロセスにおけるプラズマ源の革新~平行平板プラズマ源から新プラズマ源へ~2.マイクロ波表面波プラズマを用いたシリコン酸化窒化

著者 (1件)： 山本伸彦 (東京エレクトロンAT)
資料名： プラズマ・核融合学会誌  (Journal of Plasma and Fusion Research)
巻： 87  号： 1  ページ： 4-8  発行年： 2011年01月25日 
JST資料番号： G0114A  ISSN： 0918-7928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロ波表面波プラズマを用いることにより,従来の平行平板プラズマでは実現できなかった低電子温度で高電子密度のプラズマを生成し,低温でダメージを与えないプロセスが実現可能となった。この技術を用いて,従来熱プロセスで行われていたゲート形成プロセスおよびその周辺プロセスの低温化が実現している。(著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマ源 ,  *プラズマ生成 ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  絶縁膜 ,  窒化物 ,  イオン窒化 ,  電子温度 ,  電子密度 ,  *プラズマ処理 ,  表面改質
準シソーラス用語： *表面波プラズマ ,  *マイクロ波プラズマ ,  平行平板 ,  *酸化チッ化ケイ素 ,  プラズマ窒化 ,  プラズマ酸化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• 菅野卓雄. 半導体プラズマプロセス技術. 1980, 359
• PULFREY, D. L. Solid State Electronics. 1974, 17, 627
• ELAJBALY, K. J. Electrochem. Soc. 1991, 138, 1064
• 永津雅章. プラズマ・核融合学会誌. 1998, 74, 479
• 菅井秀郎. 応用物理学会誌. 2001, 70, 398

タイトルに関連する用語 (9件)： 実用化 ,  プロセス ,  プラズマ源 ,  平行平板 ,  マイクロ波 ,  表面波プラズマ ,  シリコン ,  酸化 ,  窒化