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J-GLOBAL ID：201102208756505181   整理番号：11A1419451

太陽電池適用のための単結晶ケイ素上の無電解ニッケルめっき

ELECTROLESS NICKEL PLATING ON SINGLE-CRYSTAL SILICON FOR SOLAR CELLS APPLICATIONS

著者 (6件)： Zhou Chunlan (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Saences, Beijing) ,  Liu Wei (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Saences, Beijing) ,  Wang Wenjing (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Saences, Beijing) ,  Li Hailing (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Saences, Beijing) ,  Zhao Lei (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Saences, Beijing) ,  Diao Hongwei (Inst. of Electrical Engineering, Chinese Acad. of Saences, Beijing)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 31  号： 5  ページ： 625-629  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ホウ素添加単結晶ケイ素上のNエミッタへの無電解ニッケルめっき過程を開発した。本過程において,2種類の前処理方法(酸浸漬およびHF浸漬)を適用した。塩化パラジウムを用いる活性化は,均一かつ緻密な無電解めっきNi膜を提示した。Ni-Si合金の比抵抗に及ぼす金属合金化ニッケルおよびケイ素の温度の影響を研究した。結果により,N_2雰囲気中で330°Cの熱処理を行ったとき,Ni-Si合金膜が形成し,そしてそれは,他のNi-Si合金と比較して,最低膜抵抗を示した。得られた最適処理フローを通して,膜抵抗2ΩmをもつNi-Si合金を,p-Si基材上の膜抵抗45ΩmをもつNエミッタに首尾よくメッキした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ニッケルめっき ,  *太陽電池 ,  単結晶 ,  電解 ,  塩化パラジウム ,  無電解めっき ,  合金 ,  ケイ素合金 ,  エミッタ【半導体】
準シソーラス用語： 金属合金 ,  Si合金

分類 (1件)： 太陽エネルギー利用機器  (QE05020H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 太陽電池 ,  結晶ケイ素 ,  無電解ニッケルめっき