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J-GLOBAL ID：201102208797089109   整理番号：11A0132127

金属プラズマ浸漬イオン注入と堆積用の高電圧パルス電源

A high voltage pulse power supply for metal plasma immersion ion implantation and deposition

著者 (7件)： SALVADORI M. C. (Inst. of Physics, Univ. of Sao Paulo, C.P. 66318, CEP 05315-970 Sao Paulo S.P., BRA) ,  TEIXEIRA F. S. (Inst. of Physics, Univ. of Sao Paulo, C.P. 66318, CEP 05315-970 Sao Paulo S.P., BRA) ,  ARAUJO W. W. R. (Inst. of Physics, Univ. of Sao Paulo, C.P. 66318, CEP 05315-970 Sao Paulo S.P., BRA) ,  SGUBIN L. G. (Inst. of Physics, Univ. of Sao Paulo, C.P. 66318, CEP 05315-970 Sao Paulo S.P., BRA) ,  SOCHUGOV N. S. (Inst. of High Current Electronics, Siberian Div. of the Russian Acad. of Sciences, Tomsk 634055, RUS) ,  SPIRIN R. E. (Inst. of High Current Electronics, Siberian Div. of the Russian Acad. of Sciences, Tomsk 634055, RUS) ,  BROWN I. G. (Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 81  号： 12  ページ： 124703  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ浸漬イオン注入・堆積(Mepiiid)モードでの繰り返しパルスフィルタ真空アークプラズマ堆積施設の運転を支援する高電圧パルス電源(パルサー)の設計と実装について述べた。20kVとピーク電流20Aまでの負パルス(ミクロパルス)は,可能なパルス幅とデューティサイクルの幅広い領域にわたって,ゲートパルスパケット(マクロパルス)で供給した。フィルタ真空アークと高電圧パルサーで構成される装置の応用として,パルサーによって供給される基板バイアスの有無でのダイヤモンド状炭素(DLC)膜の作成を行った。パルサーをDLC膜とSi基板との界面混合を起こすのに使用する時,膜/基板の接着が非常に強化されているのが観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電源装置 ,  高電圧 ,  電圧 ,  パルス波 ,  真空アーク ,  パルス発生器 ,  *イオン注入 ,  イオンビーム蒸着 ,  イオンめっき ,  プラズマ処理 ,  バイアス ,  薄膜成長 ,  DLC膜 ,  ダイヤモンド状炭素
準シソーラス用語： *パルス電源 ,  パルス電圧 ,  *プラズマ浸漬イオン注入 ,  真空アーク蒸着 ,  基板バイアス

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマ浸漬イオン注入 ,  堆積 ,  高電圧 ,  パルス電源