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J-GLOBAL ID：201102209067956458   整理番号：11A1429984

強誘電体BiFeO₃における光起電力のスイッチ機構

Mechanism of the Switchable Photovoltaic Effect in Ferroelectric BiFeO₃

著者 (5件)： YI H. T. (Rutgers Univ., NJ, USA) ,  CHOI T. (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  CHOI S. G. (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  OH Y. S. (Rutgers Univ., NJ, USA) ,  CHEONG S.-W. (Rutgers Univ., NJ, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 30  ページ： 3403-3407  発行年： 2011年08月09日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ビスマスフラックス法を用いてBiFeO₃強誘電体単結晶を成長させた。単一強誘電性ドメインを切り出し,紫外線照射による光起電力スペクトルおよび整流効果を測定し,分極の影響を調べた。光起電力の繰返しスイッチング再現性を確かめた。外部量子収量は1.5%でジルコンチタン酸鉛の0.28%に比べて顕著に高い。電流電圧特性を測定し,生成温度の影響を調べた。酸素空孔などの欠陥の電気泳動および分極反転によるSchottky-オーミック転移に基づいて結果を説明した。

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  *強誘電体 ,  単結晶 ,  結晶成長 ,  フラックス法 ,  酸化ビスマス ,  紫外線照射 ,  *光起電力効果 ,  分極 ,  *スイッチング ,  繰返し試験 ,  量子収量 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  空格子点 ,  格子欠陥 ,  分極反転 ,  Schottky障壁 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： オーミック接触 ,  ドメイン ,  *光整流 ,  酸素空孔 ,  *鉄酸ビスマス

分類 (4件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電体 ,  BiFeO3 ,  光起電力