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J-GLOBAL ID：201102209303791864   整理番号：11A1404213

Rup_2P表面増感TiO_2ベースの膜の光電子界面電子移動

Light Induced Interfacial Electron Transfer in Rup_2P Surface-Sensitized TiO_2-Based Films

著者 (4件)： Zhai Xiaohui (Coll. of Physics, Nankai Univ., Tianjin) ,  Zhao Junyan (Coll. of Physics, Nankai Univ., Tianjin) ,  Chao Hui (School of Chemical and Chemistry Engineering,Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou) ,  Cao Yaan (Coll. of Physics, Nankai Univ., Tianjin)
資料名： Wuli Huaxue Xuebao  (Wuli Huaxue Xuebao)
巻： 26  号： 6  ページ： 1617-1622  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0391A  ISSN： 1000-6818  CODEN： WHXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： TiO_2/ITO,TiO_2-Zn/ITO,及びTiO_2/ZnO/ITO膜をイオンビームスパッタリングを用いて合成し,スピンコーティング法によってRup_2P/TiO_2/ITO,Rup_2P/TiO_2-Zn/ITO,及びRup_2P/TiO_2/ZnO/ITOのRu(phen)_2(PIBH)錯体(Rup_2P)を用いて更に表面増感した。膜の表面光起電力スペクトル(SPS)によって,表面増感後のSPS応答は400~600nmに存在し,TiO_2ベースの膜に於けるエネルギーバンド構造の違いに起因して,400~600nmと350nmの間のSPS強度比率が異なることが判明した。TiO_2ベースの及びRup_2P修飾したTiO_2ベースの膜の物理的パラメータ及びエネルギーバンド構造は,電場誘起表面起電力分光法(EFISPS)を用いて決定された。Rup_2P修飾膜の400~600nmSPSピークはRu4dからphenπ_1*及びPIBHπ_2*への電子遷移に由来した。TiO_2-Znに於けるZn_(2+)のドーピングレベルは配位子レベルから伝導バンドへの光生成した電子の注入に好都合であった。TiO_2/ZnOヘテロ構造はITOの表面への電子移動に有利であり,それは可視光域(400~600nm)に於けるSPS応答及び光電子移動効率を増強した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 光電子 ,  界面 ,  *電子移動 ,  膜 ,  イオンビームスパッタリング ,  スピンコーティング ,  光起電力 ,  バンド構造 ,  電子遷移 ,  可視光
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  可視光域

分類 (1件)： 化学一般その他  (CA01060X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 増感 ,  光電子 ,  界面 ,  電子移動