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J-GLOBAL ID：201102209353667404   整理番号：11A0737433

カルコゲン過飽和シリコンにおける可視及び近赤外光吸収の増進

Enhanced visible and near-infrared optical absorption in silicon supersaturated with chalcogens

著者 (5件)： PAN Si H. (Martin A. Fisher School of Physics, Brandeis Univ., Waltham, Massachusetts 02453, USA) ,  RECHT Daniel (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  CHARNVANICHBORIKARN Supakit (Dep. of Electronic Materials Engineering, Res. School of Physics and Engineering, The Australian National Univ. ...) ,  WILLIAMS James S. (Dep. of Electronic Materials Engineering, Res. School of Physics and Engineering, The Australian National Univ. ...) ,  AZIZ Michael J. (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 12  ページ： 121913  発行年： 2011年03月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： S,Se,またはTeの過飽和により,単結晶シリコンが400~1600nmの波長の光について吸収係数を有意に増進することを示す。合金は,イオン注入に続くナノセコンドパルス化レーザ溶融により絶縁体ウェハー上のシリコンで調製された。吸収係数の測定は,自立薄膜の直接透過及び分光偏光解析法によって行われた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 硫黄 ,  テルル ,  セレン ,  *ケイ素 ,  単結晶 ,  過飽和固溶体 ,  過飽和 ,  飽和度 ,  可視光 ,  可視吸収スペクトル ,  近赤外線 ,  *吸収係数 ,  吸収スペクトル ,  イオン注入 ,  半導体薄膜 ,  *酸素族元素 ,  膜 ,  太陽電池
準シソーラス用語： 単結晶シリコン ,  自立膜 ,  薄膜太陽電池

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： カルコゲン ,  過飽和 ,  シリコン ,  近赤外光