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J-GLOBAL ID：201102209444191771   整理番号：11A0137193

Cu-In-Te系薄膜と太陽電池の特性におけるテルル蒸着速度の効果

Effect of tellurium deposition rate on the properties of Cu-In-Te based thin films and solar cells

著者 (2件)： MISE Takahiro (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...) ,  NAKADA Tokio (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 314  号： 1  ページ： 76-80  発行年： 2011年01月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu-In-Te系薄膜(Cu/In=0.30~0.31)の特性におけるテルリウム(Te)蒸着速度の効果を調べるために,分子線エピタキシー系を用いた同時蒸発によって200°CでそのままのとMo被覆のソーダ石灰ガラス基板の両方の上にこの膜が成長された。走査電子顕微鏡法とX線回折の手段によって微構造の性質が調べられた。Teの蒸着速度の増加と供にこの膜の結晶的な品質が改善して,高優先(112)配向を持つ単CuIn₃Te₅相を示した。低Te蒸着速度で成長したTe欠乏膜(Te/(Cu+In)=1.07)は室温で0.99eVの細い禁止帯幅を示した。太陽電池の性能はTeの蒸着速度によって影響を受けた。最速のTeの蒸着速度(2.6nm/s)で成長したCuIn₃Te₅薄膜を用いて組み立てた最も良い太陽電池は浸漬光無しで4.4%(V_OC=309mV,J_SC=28.0mA/cm²,そしてFF=0.509)の全面積(0.50cm²)効率をもたらした。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  堆積速度 ,  *MBE成長 ,  光吸収スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  *インジウム化合物 ,  テルル化物 ,  *銅化合物 ,  電流電圧特性 ,  優先配向 ,  微細構造 ,  *半導体薄膜 ,  *蒸着速度 ,  薄膜太陽電池
準シソーラス用語： 分子線エピタクシー

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Te ,  薄膜 ,  太陽電池 ,  テルル ,  蒸着速度