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J-GLOBAL ID：201102209718297180   整理番号：11A0601458

電子ビーム蒸着テルル化カドミウム薄膜の構造的および光学的特性に及ぼすAr⁺イオン照射の影響

Effect of Ar⁺ ion irradiation on structural and optical properties of e-beam evaporated cadmium telluride thin films

著者 (2件)： SHANMUGAN S. (Nano Optoelectronics Res. Lab., School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Penang, Malaysia) ,  MUTHARASU D (Nano Optoelectronics Res. Lab., School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Penang, Malaysia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 4  ページ： 298-302  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTe薄膜を電子ビーム蒸着法を用いて作製した。多目的アルミニウム(Al)プローブをその場で用いて異なるフルエンスでAr⁺イオンを本作製の膜に照射した。これはイオン衝突に使用でき,被覆前に基板を洗浄する。as-grown膜およびAr⁺イオン照射膜が多結晶性であることをX線法で確認した。Ar⁺照射は,CdTe薄膜の表面上のCdエンリッチメントおよび(111)配向CdTe結晶の成長を増強させる。Ar⁺イオン束が高くなると,(220)配向CdTe薄膜の成長を助ける。高Ar⁺イオン束の結果として,微結晶サイズ,格子定数,内部歪などの構造パラメータがかなり変化することを観測した。as-grown膜と照射膜の両方における印加面内応力は引張性であることを確認した。全てのAr⁺イオン照射試料に対して印加応力を観測し,0.016GPaと0.067GPaとの間であった。Ar⁺イオン照射の結果として,面内応力は1.38×10⁹dyn/cm²と5.58×10⁹dyn/cm²との間で変化する。ここで観測したバンドギャップはAr⁺イオン束が高くなるにつれて増加した。光学的特性の改良に及ぼすAr⁺イオン照射の影響を示す。Ar⁺イオン照射プロセスに対する簡単な多目的Alプローブのその場での使用に対して,ここで観測した結果は希望を与えている。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子ビーム蒸着 ,  *テルル化カドミウム ,  *半導体薄膜 ,  *アルゴン ,  *イオン照射 ,  イオン衝突 ,  多結晶 ,  結晶成長 ,  薄膜成長 ,  格子定数 ,  引張応力 ,  バンドギャップ ,  X線回折

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子ビーム蒸着 ,  テルル化カドミウム ,  薄膜 ,  光学的特性 ,  イオン照射