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J-GLOBAL ID：201102210309838364   整理番号：11A1159947

45nm CMOSにおけるランダムテレグラフノイズ:オンチップテスト及び測定システムを用いた分析

Random Telegraph Noise in 45-nm CMOS: Analysis Using an On-Chip Test and Measurement System

著者 (2件)： REALOV Simeon (Columbia Univ., NY) ,  SHEPARD Kenneth L. (Columbia Univ., NY)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 624-627  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部テスト及び測定装置の必要のない,大きなトランジスタアレイの速く正確なI-Vキャラクタリゼーションを可能にする完全集積オンチップ測定システムを述べた。広範な時間領域データからランダムテレグラフノイズ(RTN)レベル及び滞留時間を引き出す自動化法を開発した。単一トラップRTN振幅分布に関する対数正規モデルを開発し,それを用いて,素子バイアス及び形状を横切る累積分布関数を導いた。RTNの大きさは,素子幅より長さにおける減少に敏感であることを示した。滞留時間の分析は,中性及び双安定両トラップの存在を明らかにした。

シソーラス用語： *不規則雑音 ,  電波雑音 ,  *CMOS構造 ,  *雑音測定 ,  電流電圧特性 ,  隠れMarkovモデル ,  データ解析 ,  滞留時間 ,  ゲート【半導体】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  ランダムテレグラフノイズ ,  測定システム ,  分析