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J-GLOBAL ID：201102210580725648   整理番号：11A0132074

薄膜太陽電池における非オーミックシャント漏れの普遍性

Universality of non-Ohmic shunt leakage in thin-film solar cells

著者 (13件)： DONGAONKAR S. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  SERVAITES J. D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  FORD G. M. (School of Chemical Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  LOSER S. (Dep. of Chemistry, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  MOORE J. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  GELFAND R. M. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  MOHSENI H. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  HILLHOUSE H. W. (School of Chemical Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  AGRAWAL R. (School of Chemical Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  RATNER M. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  MARKS T. J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  LUNDSTROM M. S. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  ALAM M. A. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 12  ページ： 124509  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質ケイ素(a-Si:H)p-i-n電池,有機バルクヘテロ接合(BHJ)電池とCu(In,Ga)Se₂(CIGS)電池の3つの異なる薄膜太陽電池型の暗電流-電圧(IV)特性を比較する。すべての3つの素子型は低フォードパイアス(V<~0.4)と逆バイアスにおいて著しいシャント漏れ電流を示し,これは古典的な太陽電池ダイオードモデルでは説明できない。この寄生シャント電流は,光起電に対する従来の一定シャント抵抗モデルと反対に,非オーミック挙動を示した。ここに,すべての3つの型の太陽電池についてこのシャント漏れ(I_shは,以下の共通の現象論的特徴,(a)V=0周囲の電圧対称性,(b)非線形電圧依存性(べき乗則)と(c)極端に弱い温度依存性,によりにより特性化されることを示す。この解析に基づいて,測定データからこのシャント電流成分を減算する簡単な方法を与え,暗IVパラメータ取出しについてのその影響を論じる。一貫した枠組み内でのシャント漏れのこれらのすべての特徴を捉える空間電荷制限(SCL)電流モデルを提示し,このシャント抵抗メカニズムの原因である寄生経路の可能な物理的起源を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  水素化 ,  非晶質半導体 ,  ケイ素 ,  PIN接合 ,  ヘテロ接合 ,  有機半導体 ,  *暗電流 ,  *電流電圧特性 ,  シャントインピーダンス ,  *漏れ電流 ,  接触 ,  モデリング
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  バルクヘテロ接合 ,  *薄膜太陽電池 ,  非オーミック接触

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜太陽電池 ,  普遍性