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J-GLOBAL ID：201102210679074096   整理番号：11A0138841

CMOS技術による表面エッチング微細加工熱電対IR検知器のモデリング

Modeling of Front-Etched Micromachined Thermopile IR Detector by CMOS Technology

著者 (3件)： XU Dehui ,  XIONG Bin ,  WANG Yuelin
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 19  号： 6  ページ： 1331-1340  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IR検知用にCMOS適合熱電対検知器が幅広く使用されている。表面エッチングにより微細加工したCMOS適合熱電対IR検知器の解析モデルを開発した。この解析モデル実現のため,微小ブリッジ熱電対構造を,別々の吸収体を有する単一のカンチレバー熱電対検知器に分割した。1次元2領域方法を用いて,この単一熱電対IR検知器の各領域内の熱勾配を解析した。また,誘電層を吸収体として採用したため,そのモデルでは熱電対領域中へのIR吸収についても考慮した。各単一電対IR検知器の出力を総和することにより,電対IR検知器の性能をモデル化した。実素子により,その解析モデルを確認した。シミュレーションと測定値が良く一致することにより,検知器の幾何形状最適化への道を切り開いた。吸収幅,ポリシリコン長とエッチング窓幅の影響を再検討することにより,熱電対構造の幾何形状パラメータの影響を予測した。また,その解析モデルは,類似構造(カンチレバーと膜型)を有する他の熱電対IR検知器へも適用可能である。

シソーラス用語： *モデリング ,  *マイクロマシニング ,  *熱電対 ,  解析モデル ,  温度勾配 ,  *赤外検出器 ,  CMOS構造 ,  *MEMS ,  片持梁 ,  エッチング ,  ポリシリコン ,  シミュレーションモデル

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： CMOS技術 ,  エッチング ,  微細加工 ,  熱電対 ,  Ir ,  検知器 ,  モデリング