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J-GLOBAL ID：201102210795891565   整理番号：11A1180026

高温自動車応用用広電圧範囲SOI-BiCDMOS技術

Wide-Voltage SOI-BiCDMOS Technology for High-Temperature Automotive Applications

著者 (8件)： TOMITA Hidemoto (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  EGUCHI Hiroomi (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  KIJIMA Shinya (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  HONDA Norihiro (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  YAMADA Tetsuya (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  YAMAWAKI Hideo (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  AOKI Hirofumi (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  HAMADA Kimimori (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 28-31  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温自動車応用用に新広電圧範囲シリコン-オン-絶縁膜(SOI)-BiCDMOS技術を開発した。この技術により,35V,60Vと80V Nチャンネル/Pチャンネル横形拡散MOSトランジスタ(LDMOS),35Vバイポーラ接合トランジスタ(BJT),6V CMOSと諸受動素子のシングルチップ上への集積化を可能にした。これらの素子は,深堀りトレンチ分離(DTI)とSOIウエハからなる完全誘電分離構造の採用により,最高175°Cの高温で安定動作可能であることを確認した。特に,3型の阻止電圧を用いたLDMOS素子を諸自動車応用用に実現した。これらのLDMOS素子は,シリコン局所酸化(LOCOS)形状の改造と最高175°Cの優れた安全動作領域(SOA)により,低R_on・A(オン抵抗×面積)について強力な価格競争力がある。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  高温 ,  *自動車 ,  酸化膜 ,  *埋込み【挿入】 ,  *半導体チップ ,  ウエハ【IC】 ,  *ASIC ,  *バイポーラトランジスタ ,  *CMOS構造 ,  MOSFET ,  接合形トランジスタ ,  電気絶縁 ,  LOCOS ,  限界
準シソーラス用語： BOX ,  BJT ,  LDMOS ,  SOA

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自動車 ,  応用 ,  圧 ,  SOI