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J-GLOBAL ID：201102210935682473   整理番号：11A0562955

反応性同時スパッタリング法によるチタン及び酸化バナジウム薄膜の解析

Analysis of titanium and vanadium oxide thin film by method of reactive co-sputtering

著者 (4件)： WANG Tao (Univ. Electronic Sci. and Technol. China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  JIANG Yadong (Univ. Electronic Sci. and Technol. China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  YU He (Univ. Electronic Sci. and Technol. China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  WU Zhiming (Univ. Electronic Sci. and Technol. China (UESTC), Chengdu, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7658  号： Pt.1  ページ： 76581O.1-76581O.5  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタン-バナジウム酸化物は電子素子材料,電極材料,触媒,他への応用が期待される。Ti_1-xV_xOは元素ターゲットからの反応性同時スパッタリング法により評価できる。本研究では,TiとVの同時反応性スパッタを理論及びBergモデルに基づくシミュレーションにより調べた。蒸着膜のヒステリシス効果と中間組成を,異なるターゲット電流の関数として予測した。各ターゲットの電流を変えて,化学量論組成の異なる薄膜が得られ,またそれを最適化できることを示した。

シソーラス用語： *スパッタリング ,  チタン化合物 ,  バナジウム化合物 ,  酸化物 ,  ターゲット ,  *組成 ,  ヒステリシス ,  *薄膜成長 ,  堆積速度
準シソーラス用語： *同時スパッタリング ,  *化学量論組成

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性 ,  同時スパッタリング ,  チタン ,  酸化バナジウム ,  薄膜 ,  解析