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J-GLOBAL ID：201102211930688470   整理番号：11A0918102

フレキシブルで透明な基板上のヒステリシスが小さいナノカーボンベース集積回路

Small Hysteresis Nanocarbon-Based Integrated Circuits on Flexible and Transparent Plastic Substrate

著者 (7件)： YU Woo Jong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Si Young (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  CHAE Sang Hoon (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PERELLO David (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  HAN Gang Hee (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YUN Minhee (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  LEE Young Hee (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 11  号： 3  ページ： 1344-1350  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一層グラフェン電極と単層カーボンナノチューブ(SWCNT)ネットワークチャネルを使って透明でフレキシブルな薄膜トランジスタと論理ゲートを作製した。グラフェンの利用によりポリエチレンテレフタレート基板に比べた透過率の減少はたった3.8%であった。デバイスの小さいヒステリシスは欠陥フリーのグラフェン表面を起源とするもので,酸化によって変調された。この透明でフレキシブルなナノカーボン材料を組み合わせた薄膜トランジスタは,10年間のサブ閾値電圧220mV,オン/オフ比約10⁴,移動度81cm²V^-1s^-1,基板を含む透明度83.8%を示した。1000回の曲げ試験後も相互コンダクタンスの変化は観測されず,Au電極に比べて接触抵抗は1/100以下で,移動度は100倍以上であった。これらのグラフェン/SWCNTトランジスタを使って9×10の論理回路アレイも作製した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *単一層 ,  透明材料 ,  フレキシブル基板 ,  *薄膜トランジスタ ,  *論理回路 ,  電圧 ,  キャリア移動度 ,  透明度 ,  相互コンダクタンス ,  *ヒステリシス ,  接触抵抗 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  C/C複合材料 ,  *グラフェン ,  閾値電圧 ,  芳香族ポリエステル
準シソーラス用語： 論理ゲート

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヒステリシス ,  ナノカーボン ,  集積回路