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J-GLOBAL ID：201102212325707078   整理番号：11A0102284

p型SbドープZnO薄膜のRaman散乱研究

Raman scattering studies of p-type Sb-doped ZnO thin films

著者 (3件)： SAMANTA Kousik (Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, San Juan, Puerto Rico 00931, USA) ,  BHATTACHARYA Pijush (Dep. of Physics, Fisk Univ., Nashville, Tennessee 37208, USA) ,  KATIYAR Ram S. (Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, San Juan, Puerto Rico 00931, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 11  ページ： 113501  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチモンドープp型ZnO膜をパルスレーザ蒸着によりAl₂O₃(0001)基板上に成長させた。Zn_1-xSb_xO(3%と5%)薄膜の構造特性はRaman散乱研究により調べた。(Sb_Zn-2V_Zn)アクセプタ,あるいは複合体の形成が原因となった局所格子のソフト化が,E₂^highモードがZnSbO薄膜の低周波側へシフトしたことから検出された。さらに277,333,483,及び534cm^-1において観測された光学モードはw-ZnOのSbドーピングにより並進対称性の破れから生じる。Zn-Sbが関係する局在振動モードが5%SbドープZnO薄膜で237cm^-1付近で検出された。室温のHall測定の結果から,5%SbドープZnO薄膜において0.017Ωcmの抵抗率,6.25×10¹⁸ cm^-3の高い正孔濃度,そして57.44cm²/Vsの移動度が明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  アンチモン ,  ドーピング ,  P型半導体 ,  局在振動 ,  フォノン ,  基準モード ,  対称性の破れ ,  Hall効果 ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  *キャリア移動度 ,  *Ramanスペクトル ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 酸化物半導体

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sb ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  Raman散乱 ,  研究