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J-GLOBAL ID：201102212366402249   整理番号：11A0306295

曲線支援パターンをもつ32nm-hp電気接点の書込み

Writing 32nm-hp Contacts with Curvilinear Assist Features

著者 (4件)： FUJIMURA Aki (D2S, Inc., CA, USA) ,  KIM David (Luminescent Technol., Inc., CA, USA) ,  BORK Ingo (D2S, Inc., CA, USA) ,  PIERRAT Christophe (IC Images Technol., Inc., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.1  ページ： 78230R.1-78230R.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 193nm浸漬リソグラフィーによる32nm半ピッチ接点の書込みは,円形の主特徴(MF)と複雑な曲線のサブ分解能支援パターン(SRAF)を含むマスクの形成が望まれる。実用マスクを実現するには電子ビームショット計数(SC)とマスク品質とのトレードオフが必要であり,その有効な方法を提案した。マンハッタン法の場合はマスク形状を多数の長方形区域に断裂し,可変形状ビームを用いて,MFは長方形,SRAFはギザギザの線を書込む。この方法の最適化を行い,最良の加工条件を維持しながら,SCを大幅に減少させた(44接点で620ショット)。通常の方法はショットの長方形区域は重なりを許容しないが,重なりを許容するMB-MDP法を使用してSCをさらに35%減少させた。これらの方法とマスクライタを用いて書込みをしたレジストパターンのSEM画像を分析し,SCの減少によって最良の加工条件と最小加工寸法の均一度が改善されることを確認した。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  *電気接点 ,  *リソグラフィー ,  *パターン形成 ,  *電子照射 ,  品質 ,  トレードオフ ,  最適化 ,  レジスト ,  画像分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  曲線 ,  浸漬 ,  高分解能

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 曲線 ,  支援 ,  HP ,  電気接点 ,  書込み