加熱したタングステンフィラメント表面上のN<sub>2</sub>の活性化と分解

UMEMOTO Hironobu; FUNAE Tsuyoshi; MANKELEVICH Yuri A.

文献

J-GLOBAL ID：201102212488756602 整理番号：11A0949091

加熱したタングステンフィラメント表面上のN₂の活性化と分解

Activation and Decomposition of N₂ on Heated Tungsten Filament Surfaces

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巻： 115 号： 14 ページ： 6748-6756 発行年： 2011年04月14日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

加熱したタングステン(W)フィラメント上のN₂から生成した基底状態N原子であるN(2s²2p³ ⁴S)の絶対密度を120.1nmでの真空紫外(VUV)レーザ誘起蛍光(LIF)手法で同定した。N(⁴S)に加えて更に振動励起したN₂分子即ちN₂(X¹Σ_g⁺,ν=1)の生成はコヒーレントアンチStokes Raman散乱(CARS)手法で確認した。このN原子の生成の為の見かけの活性化エネルギーはN≡N結合解離エネルギーのほぼ半分であった。N原子密度は100Pa以下でガス圧力の平方根に比例して増加した。これらの結果はN₂とNの平衡を示唆した。二次元(2-D)モデル化と二段階ガス表面反応機構に基づいた理論的モデル計算を加熱したW表面上のN原子の生成機構を調べる為に行った。追加した2-Dモデル計算は振動非平衡の特異的像:熱フィラメント近傍領域でのN₂(ν=1)脱個体数化とより低い温度領域でのN₂(ν=1)過剰個体数化を示した。

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原子ビーム,分子ビーム , 薄膜成長技術・装置 , 固-気界面一般

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加熱したタングステンフィラメント表面上のN2の活性化と分解

加熱したタングステンフィラメント表面上のN₂の活性化と分解