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J-GLOBAL ID：201102212621597156   整理番号：11A1215953

ゲート誘電体としての原子層蒸着Al₂O₃を持つGaSb逆モードPMOSFET

GaSb Inversion-Mode PMOSFETs With Atomic-Layer-Deposited Al₂O₃ as Gate Dielectric

著者 (3件)： XU Min (Purdue Univ., IN, USA) ,  WANG Runsheng (Purdue Univ., IN, USA) ,  YE Peide D. (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 7  ページ： 883-885  発行年： 2011年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンベースのCMOSは物理限界に近づいており,更なるデバイス性能向上に対して,III-V半導体材料が注目されている。ここでは,pチャンネル材料として,GaSbを用いたときの基本的利点を検討した。ゲート長0.75μmの標記のデバイスを製作した。最大駆動電流が70mA/mm,相互コンダクタンスが26mS/mm,および正孔逆移動度が約200cm²/V・sであった。オフ状態性能は原子層蒸着温度を300°Cから200°Cにすることで改善された。GaSb MOSFETのオンオフ状態の性能を精確に表す界面トラップ密度分布を定量的に測定した。測定界面トラップ密度分布は価電子帯エッジ近くで低く,伝導帯近くで増加した。

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  化学蒸着 ,  単原子層 ,  *酸化アルミニウム ,  アンチモン化ガリウム ,  *MOSFET ,  相互コンダクタンス ,  電流 ,  正孔 ,  キャリア移動度 ,  密度 ,  捕獲中心 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： GaSb ,  *pMOSFET ,  ゲート誘電体 ,  トラップ密度 ,  駆動電流 ,  原子層蒸着 ,  正孔移動度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート誘電体 ,  原子層蒸着 ,  Al2O3 ,  GaSb ,  pMOSFET