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J-GLOBAL ID：201102212667725566   整理番号：11A0912784

銀ドープとSiドープSbリッチGeSb薄膜間の異なる結晶化動作

Different crystallization behavior between Ag-doped and Si-doped Sb-rich GeSb thin films

著者 (3件)： KIM Nam Hee ,  ROH Jae Sung (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggido, KOR) ,  CHOI Doo Jin (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 32nd  ページ： 115-116  発行年： 2010年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *銀 ,  *ドーピング ,  ケイ素 ,  アンチモン ,  アンチモン化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *結晶化 ,  *半導体薄膜 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ヒ素 ,  シート抵抗 ,  PRAM【メモリ】 ,  *不揮発性メモリ ,  材料 ,  相転移 ,  X線回折
準シソーラス用語： 相転移材料 ,  SGS

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 銀 ,  ドープ ,  Si ,  Sb ,  薄膜 ,  結晶化