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J-GLOBAL ID：201102213028349541   整理番号：11A0171890

MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた〈100〉Siナノワイヤのバンドギャップ

Bandgap of 〈100〉 Si Nanowires Derived from Threshold Voltage of MOSFETs and Theoretical Calculations

著者 (4件)： 吉岡裕典 (京大) ,  森岡直也 (京大) ,  須田淳 (京大) ,  木本恒暢 (京大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 351(SDM2010 185-203)  ページ： 1-6  発行年： 2010年12月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 18nmから4nmの断面サイズ(断面積の平方根)の〈100〉SiナノワイヤMOSFETを作製し,電気的特性を評価した。nチャネル,pチャネルMOSFET共に理想値に近いS値63mV/decadeが得られた。nチャネル/pチャネルMOSFETのしきい値電圧は断面サイズの減少にしたがい,徐々に増加/減少した。このしきい値電圧の変化からバンドギャップの変化量を算出した。また,密度汎関数法,強束縛近似法,有効質量近似からバンドギャップの変化量を計算した。計算されたバンドギャップ変化量はしきい値電圧の変化から求めたものと良い一致を示した。さらに理論計算によって,Siナノワイヤのバンドギャップは断面サイズには敏感であるが,断面形状にはあまり敏感ではないことを見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電圧 ,  *バンドギャップ ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  密度汎関数法 ,  強束縛近似 ,  有効質量 ,  長さ ,  ゲート【半導体】 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ゲート長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• HAENSCH, W. Silicon CMOS devices beyond scaling. IBM J. Res. Develop. 2006, 50, 4/5, 339-361
• FRANK, D. J. Device scaling limits of Si MOSFETs and their application dependencies. Proc. IEEE. 2001, 89, 3, 259-288
• KEYES, R. W. Physical limits of silicon transistors and circuits. Rep. Prog. Phys. 2005, 68, 12, 2701-2746
• SINGH, N. High-performance fully depleted silicon-nanowire (diameter ≤ 5 nm) gate-all-around CMOS devices. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 5, 383-386
• MAJIMA, H. Experimental evidence for quantum mechanical narrow channel effect in ultra-narrow MOSFET's. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 8, 396-398

タイトルに関連する用語 (6件)： MOSFET ,  しきい値電圧 ,  理論計算 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  バンドギャップ