{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201102213184499138   整理番号:11A0646179

ナノプローブインデンテーションに起因するInGaAs/GaAs量子ドットの光ルミネセンス消光の機構

Mechanism of Photoluminescence Quenching of InGaAs/GaAs Quantum Dots Resulting from Nanoprobe Indentation
著者 (6件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 106-114  発行年: 2011年01月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
平坦円筒形プローブの弾性インデンテーションを受けたInGaAs/GaAs量子ドットで観測された光ルミネセンス消光の機構を調べて,歪み誘起ポテンシャル勾配に起因する電子反発が原因と結論した。インデンテーションの下で,消光力がドット毎に異なることが分かった。この変化は,プローブに対するドットの位置に関係している。実験条件に対応して,格子不整歪みと強く局在したプローブ誘起歪みを数値解析した。さらに変形ポテンシャル理論を使い,電子構造に対する歪みの効果を計算した。GaAs母体の歪み誘起伝導帯/価電子帯のインデンテーション誘起エネルギーシフトを調べて,光ルミネセンス消光の機構を論じた。インデンテーション誘起ポテンシャル勾配による電子反発が光ルミネセンス消光の原因と結論した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体のルミネセンス 

前のページに戻る