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J-GLOBAL ID：201102213341953654   整理番号：11A1180097

高電圧プレーナ形と超接合パワーMOSFETの非固定誘導性スイッチングのエネルギー限界

Energy limits for Unclamped Inductive Switching in High-Voltage Planar and SuperJunction Power MOSFETs

著者 (6件)： ROIG J. (ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  MOENS P. (ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  MCDONALD J. (ON Semiconductor, Phoenix, USA) ,  VANMEERBEEK P. (ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  BAUWENS F. (ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  TACK M. (ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 312-315  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧(HV)(600V~900V)プレーナ形と超接合(SJ)パワーMOSFETの非固定誘導性スイッチング(UIS)の最大エネルギー能力(E_as)を実験評価した。広範囲の電圧能力と負荷誘導値(L)によりE_asを正確に予測するため,埋込み熱源を考慮した新理論的方法を提案した。HV素子でBVによる小I_av変動を示すとともに,大小Lで異なる最大許容電流(I_av)対L減衰傾斜を確認した。以前のモデルの限界を克服するため,より正確な熱挙動を用いた新解析モデルを提案し,検討するとともに実験データによりそのモデルの有効性を検証した。最後に,新モデルを用いて,実際のE_as予測を評価することができた。

シソーラス用語： *半導体接合 ,  *スイッチング ,  *電力トランジスタ ,  *MOSFET ,  CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  解析モデル ,  熱源 ,  熱特性
準シソーラス用語： 超接合 ,  TCAD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電圧 ,  プレーナ ,  超接合 ,  パワーMOSFET ,  スイッチング ,  エネルギー ,  限界