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J-GLOBAL ID：201102213828611040   整理番号：11A1216615

超分子スピンバルブ

Supramolecular spin valves

著者 (6件)： URDAMPILLETA M. (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA) ,  KLYATSKAYA S. (Karlsruhe Inst. Technol. (KIT), Eggenstein-Leopoldshafen, DEU) ,  CLEUZIOU J-P. (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA) ,  RUBEN M. (Karlsruhe Inst. Technol. (KIT), Eggenstein-Leopoldshafen, DEU) ,  RUBEN M. (Univ. Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  WERNSDORFER W. (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 10  号： 7  ページ： 502-506  発行年： 2011年07月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁性電極と有機半導体非磁性単分子とのトンネル接合において,スピン緩和時間の大幅な改善が報告されている。本研究では,非磁性電極と接合した単層カーボンナノチューブから成る非磁性分子量子ドットと,テルビウムとフタロシアニン(Pc)との化合物(TbPc₂)とを超分子相互作用で横方向に接合させて,スピンバルブデバイスを作製した。作製したスピンバルブデバイスの磁気的,電気的特性を極低温で評価した。単分子磁石の磁気特性はヒステリシスループを示した。また,スピンバルブの局所的磁気モーメントにより,単層カーボンナノチューブ中の電子輸送の磁場依存性が誘起されることを見出した。結果として,温度1Kにおいて300%の磁気抵抗比を与えることを明らかにした。

シソーラス用語： *巨大磁気抵抗効果 ,  固体素子 ,  磁性薄膜 ,  電子スピン ,  単層カーボンナノチューブ ,  テルビウム錯体 ,  フタロシアニン錯体 ,  磁気的性質 ,  電気的性質 ,  ヒステリシス ,  電子移動 ,  分子間相互作用 ,  磁気モーメント

分類 (3件)： 磁気バブルデバイス  (NC03140P) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 分子スピン ,  バルブ