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J-GLOBAL ID：201102214059056522   整理番号：11A1195772

イオンビーム技術による希薄磁性半導体とナノ磁性材料の研究

Investigation of diluted magnetic semiconductor and nano magnetic material by ion beam technology

著者 (6件)： YAO Shude (Peking Univ., Beijing) ,  DING Zhibo (Peking Univ., Beijing) ,  WANG Kun (Peking Univ., Beijing) ,  CHEN Di (Peking Univ., Beijing) ,  FA Tao (Peking Univ., Beijing) ,  CHEN Tiaaxiang (Peking Univ., Beijing)
資料名： He Jishu  (He Jishu)
巻： 33  号： 3  ページ： 173-178  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2034A  ISSN： 0253-3219  CODEN： NUTEDL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GaN系材料の構造,磁性変調,キャラクタリゼーションを検討した。イオンビーム技術を用いて,薄膜サンプルにCo+イオンまたはMn+を異なる線量でイオン注入して,ナノ構造を形成した。SQUIDとAGMを用いて,磁気的特性を測定した。保磁力と飽和磁化をアニーリング前後で検討した。MHと曲線群を測定した。低温と室温の薄膜で強磁性を示した。RB/C,PIXE,XRDを用いて,微細構造,ドープ遷移金属量,損傷を分析した。強磁性粒子のナノクラスタをHRTEMで観測した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *ナノクラスタ ,  焼なまし ,  イオン注入 ,  磁気的性質 ,  SQUID ,  微細構造 ,  遷移金属 ,  PIXE分析 ,  ナノ構造 ,  *磁性材料 ,  飽和磁化 ,  *磁性半導体 ,  *窒化ガリウム ,  保磁力
準シソーラス用語： HRTEM ,  PIXE【分析】 ,  *ナノ磁性材料 ,  *希薄磁性半導体 ,  磁気的特性 ,  磁性粒子

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンビーム ,  希薄磁性半導体 ,  磁性材料 ,  研究