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J-GLOBAL ID：201102214654968217   整理番号：11A0180199

それ自身の慣性下での磁壁動力学

Dynamics of Magnetic Domain Walls Under Their Own Inertia

著者 (4件)： THOMAS Luc (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  MORIYA Rai (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  RETTNER Charles (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  PARKIN Stuart S. P. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 330  号： 6012  ページ： 1810-1813  発行年： 2010年12月24日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン分極電流によって誘起されたナノワイヤ上の磁壁運動を磁気メモリや論理素子に利用する上で重要な磁壁の正確な位置決め可能性を検討した。幅200nm,長さ6~15μm,厚み20nmのパーマロイ(Ni₈₁Fe₁₉)ナノワイヤにパルス電流を注入することによって磁壁を書込み,シフトさせ,検出した。電流刺激を除去後も,磁壁はそれ自身の慣性下で数マイクロメートルもの長い距離を移動し,数十ナノ秒かけて緩和することが分かった。全磁壁移動距離は,パルス開始時の加速よって起きる遅れのため電流パルス長に正確に比例すること,慣性とは独立に,磁壁位置は適切にタイミングを合わせた電流パルスによって正確に決定できることが分かった。これらの実験結果はGilbert減衰を考慮したマイクロマグネティックシミュレーションによっても確認された。

シソーラス用語： *運動 ,  スピン分極 ,  *ナノワイヤ ,  *パーマロイ ,  ニッケル合金 ,  鉄含有合金 ,  慣性 ,  トルク ,  減衰 ,  計算機シミュレーション ,  磁気メモリ ,  論理素子 ,  パルス幅 ,  マイクロマグネティックシミュレーション ,  *磁壁移動 ,  スピントルク ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *磁壁運動 ,  *電流注入 ,  スピントランスファトルク ,  Gilbert減衰

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自身 ,  慣性 ,  磁壁 ,  動力学