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J-GLOBAL ID：201102214705558728   整理番号：11A0553681

(h/2π)ω/k_Bの温度より有意に高温で作動する1.8THz量子カスケードレーザ

A 1.8-THz quantum cascade laser operating significantly above the temperature of h/2πω/k_B

著者 (4件)： KUMAR Sushil (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  CHAN Chun Wang I. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  HU Qing (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  RENO John L. (Sandia National Lab., New Mexico, USA)
資料名： Nature Physics  (Nature Physics)
巻： 7  号： 2  ページ： 166-171  発行年： 2011年02月 
JST資料番号： W2060A  ISSN： 1745-2473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テラヘルツ領域での科学の発展の一環として,本研究では,(h/2π)ω/k_Bの温度より有意に高温で作動する1.8THz半導体量子カスケードレーザ(QCL)について記した。まず,従来の研究では,QCLの作動温度は,経験的に(h/2π)ω/k_Bを超えないとされていたが,この挙動は,従来のテラヘルツQCLで使用された共鳴トンネリング注入機構の間接的な結果であることを示した。著者らは,新しい散乱支援注入機構を提示し,上記限界を超えて,1.9(h/2π)ω/k_B(163K)での作動が可能であることを示した。GaAsベースレーザについての実験で,2mW超のピーク光出力を温度155Kで実現した。本研究結果は,室温テラヘルツ半導体レーザの設計を可能にすることを指摘した。

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,  サブミリ波 ,  化合物半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  負性抵抗 ,  キャリア注入 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  低温 ,  テラヘルツ波 ,  *量子カスケードレーザ
準シソーラス用語： 負性微分抵抗

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (1件)： 量子カスケードレーザ