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J-GLOBAL ID：201102215193963001   整理番号：11A0852869

超短レーザパルスによるGaN表面のナノ製造

Nanofabrication of GaN surfaces by ultrashort laser pulses

著者 (6件)： NAKASHIMA Seisuke (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SUGIOKA Koji (RIKEN, Saitama, JPN) ,  ITO Takuma (RIKEN, Saitama, JPN) ,  ITO Takuma (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKAI Hiroshi (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  MIDORIKAWA Katsumi (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7996  ページ： 79960G.1-79960G.12  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN表面の高品質,高効率処理のための湿式化学支援フェムト秒レーザアブレーション技術を開発した。35%塩酸溶液に浸漬した単結晶GaN基板の表面にレーザビームを集光した。これにより,高品質のアブレーションクレータと残留デブリの少ない平坦な表面が得られた。フェムト秒レーザの第二高調波(387nm)を用いて,GaN基板上に直径320nmのナノクレータを形成した。多重走査照射を行い,高アスペクト比のナノ穴の二次元配列を作製した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  レーザアブレーション ,  *パルスレーザ照射 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  周期構造 ,  化学 ,  *ナノ構造 ,  レーザパルス
準シソーラス用語： 湿式化学

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： レーザパルス ,  GaN