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J-GLOBAL ID：201102215275104481   整理番号：11A1686709

シリカナノ粒子を分散した塗布型有機トランジスタのデバイス特性

Device characteristics of silica nanoparticles dispersed solution-processable organic transistors

著者 (9件)： 吉川真史 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  永瀬隆 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  山崎沙織 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  小林隆史 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  通脇良樹 (扶桑化学工業) ,  渡瀬星児 (大阪市工研) ,  渡辺充 (大阪市工研) ,  松川公洋 (大阪市工研) ,  内藤裕義 (大阪府大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 212(OME2011 40-47)  ページ： 31-34  発行年： 2011年09月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ(OFET)におけるゲート絶縁膜の表面処理は電界効果移動度を大きく増加させるが,半導体溶液の濡れ性を著しく低下させるという実用化への課題がある。本研究では,高分子半導体として代表的なpoly(3-hexylthiophene)(P3HT)溶液へのシリカナノ粒子(SNPs)の分散による濡れ性の向上について報告する。P3HT溶液の疎水化処理した基板上への濡れ性は微量のSNPs分散により大きく改善され,また,P3HT膜の結晶化が促進されることが分かった。SNPsを分散したP3HT薄膜を用いたOFETにおいても,比較的良好なFET特性を示すことが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  ナノ粒子 ,  分散【dispersion】 ,  濡れ ,  結晶化 ,  素子構造 ,  キャリア移動度 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  キャラクタリゼーション ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  P3HT【重合体】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• SIRRINGHAUS, H. Two-dimensional charge transport in self-organized, high-mobility conjugated polymers. Nature. 1999, 401, 6754, 685-688
• SALLEO, A. Polymer thin-film transistors with chemically modified dielectric interfaces. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 23, 4383-4385
• PAYNE, M. M. Organic field-effect transistors from solution-deposited functionalized acenes with mobilities as high as 1 cm2/V・s. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 14, 4986-4987
• EBATA, H. Highly soluble [1]benzothieno[3,2-b]benzothiophene (BTBT) derivatives for high-performance, solution-processed organic field-effect transistors. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 51, 15732-15733
• KLINE, R. J. Highly oriented crystals at the buried interface in polythiophene thin-film transistors. Nature Mater. 2006, 5, 3, 222-228

タイトルに関連する用語 (3件)： シリカナノ粒子 ,  有機トランジスタ ,  デバイス特性