文献

J-GLOBAL ID：201102215691099683   整理番号：11A0921994

低負荷の下でのSi(100)表面上のヒロック-スクラッチ損傷の形成

Formation of Hillock-Scratch Damage on Si(100) Surface under Low Load

著者 (3件)： YANG Chao (Southwest Jiaotong Univ., Sichuan, Chengdu) ,  YU Bing-jun (Southwest Jiaotong Univ., Sichuan, Chengdu) ,  QIAN Lin-mao (Southwest Jiaotong Univ., Sichuan, Chengdu)
資料名： Mocaxue Xuebao  (Tribology)
巻： 30  号： 1  ページ： 92-96  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2407A  ISSN： 1004-0595  CODEN： MAXUE7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 半径3μmの球面ダイヤモンドチップとナノスクラッチ装置を用いて,多様な負荷の下でのSi(100)表面上でスクラッチテストを行った。負荷の増大に伴い,Si(100)表面上のスクラッチ損傷が以下の,表面ヒロックの形成,ヒロックと溝の生成,および材料の除去の3つの段階を経験することが分かった。負荷が0.5mNと3mNの間を変同するときは,スクラッチ誘発の損傷をヒロックの形成として同定した。負荷が3mNから50mNに上がると,スクラッチは溝の発生導くことができた。しかし,表面ヒロックは成長し続け,ヒロックは依然としてスクラッチプロセスを支配した。通常負荷が50mNに達したときに,スクラッチ溝の深さが急速に増し,材料除去によってスクラッチプロセスを支配し始めた。更なる研究によって,Si(100)のスクラッチ誘発損傷が,ダイヤモンドチップやSi(100)表面との接触応力と関連することを明らかにした。シリコンヒロックの形成が,主に,超低負荷の下でのスクラッチによる機械的相互作用に起因するものと考えられる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *クラッチ ,  装置 ,  接触応力 ,  ケイ素 ,  工程
準シソーラス用語： *ヒロック ,  クラッチ装置 ,  シリコン ,  プロセス

分類 (1件)： 潤滑一般  (QB02010S)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ヒロック ,  スクラッチ ,  損傷