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J-GLOBAL ID：201102215829685147   整理番号：11A0136562

グラフェン素子におけるイメージング,シミュレーション,および電力消耗の静電制御

Imaging, Simulation, and Electrostatic Control of Power Dissipation in Graphene Devices

著者 (4件)： BAE Myung-Ho (Univ. Illinois, Illinois) ,  ONG Zhun-Yong (Univ. Illinois, Illinois) ,  ESTRADA David (Univ. Illinois, Illinois) ,  POP Eric (Univ. Illinois, Illinois)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 12  ページ： 4787-4793  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層(A)および二層(B)グラフェンFETの動作におけるホットスポットを赤外熱顕微鏡により直接観察した。電子-熱輸送モデルとあわせてキャリア分布,電場,電力消費を解析した。電荷密度の最小点がホットスポットを生じることを確かめ,バイアス電圧の調節によりその移動を観測した。ホットスポットの形状がAおよびBグラフェンの状態密度に対応することを見出した。素子構造上,グラフェンon絶縁体素子(GOI)はSOI素子と同様の熱設計が必要である。自己無撞着シミュレーションとサーマルイメージングの併用によりナノスケール素子のキャリアおよび熱輸送ならびにエネルギー消費の非破壊分析が可能である事を強調した。

シソーラス用語： エレクトロトランスポート ,  輸送現象 ,  *単一層 ,  グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ホットスポット ,  光学顕微鏡 ,  *サーマルイメージング ,  *計算機シミュレーション ,  分布 ,  電力消費 ,  電荷分布 ,  密度 ,  電圧 ,  *状態密度 ,  *素子構造 ,  熱設計 ,  SCF法 ,  エネルギー消費 ,  非破壊分析 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： GOI構造 ,  キャリア分布 ,  バイアス電圧 ,  自己無撞着場法 ,  赤外線顕微鏡 ,  単層グラフェン ,  電荷密度 ,  電子輸送 ,  電場分布 ,  熱輸送 ,  二層グラフェン

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  温度測定,温度計  (AD06010K) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン素子 ,  イメージング ,  シミュレーション ,  消耗