文献
J-GLOBAL ID：201102215927010352   整理番号：11A1476811

1MeV以下の核子イオン類を注入したシリコン中における欠陥形成

Defect formation in silicon implanted with ~1 MeV/nucleon ions
著者 (5件)：
VABISHCHEVICH S. A.

VABISHCHEVICH S. A. について

(Polotsk State Univ., ul. Blokhina 29, 211440, Novopolotsk, Belarus)

Polotsk State Univ., ul. Blokhina 29, 211440, Novopolotsk, Belarus について

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VABISHCHEVICH N. V.

VABISHCHEVICH N. V. について

(Polotsk State Univ., ul. Blokhina 29, 211440, Novopolotsk, Belarus)

Polotsk State Univ., ul. Blokhina 29, 211440, Novopolotsk, Belarus について

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BRINKEVICH D. I.

BRINKEVICH D. I. について

(Belarussian State Univ., pr. Nezavisimosti 4, 220030, Minsk, Belarus)

Belarussian State Univ., pr. Nezavisimosti 4, 220030, Minsk, Belarus について

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PROSOLOVICH V. S.

PROSOLOVICH V. S. について

(Belarussian State Univ., pr. Nezavisimosti 4, 220030, Minsk, Belarus)

Belarussian State Univ., pr. Nezavisimosti 4, 220030, Minsk, Belarus について

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YANKOVSKII Yu. N.

YANKOVSKII Yu. N. について

(Belarussian State Univ., pr. Nezavisimosti 4, 220030, Minsk, Belarus)

Belarussian State Univ., pr. Nezavisimosti 4, 220030, Minsk, Belarus について


資料名：
Inorganic Materials  (Inorganic Materials)

Inorganic Materials について


巻： 46  号： 12  ページ： 1281-1284  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： A1063A  ISSN： 0020-1685  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
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核子

核子 について

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イオン類

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注入

注入 について

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シリコン

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欠陥形成

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