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J-GLOBAL ID：201102216357373215   整理番号：11A0084507

新しいカーボン-ドーパント源(CBrCl3)を用いたLP-MOVPEによるInP基板上のp型InGaAsの成長と特徴描写

Growth and characterization of p-type InGaAs on InP substrates by LP-MOVPE using a new carbon-dopant source, CBrCl3

著者 (5件)： UCHIDA K ,  TAKAHASHI K ,  KABE S ,  NOZAKI S ,  MORISAKI H
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 272  号： 1-4  ページ： 658-663  発行年： 2004年 
JST資料番号： O3553A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： カーボン ,  ドーパント ,  LP ,  MOVPE ,  InP ,  InGaAs ,  成長