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J-GLOBAL ID：201102216363544013   整理番号：11A0486768

InAs/GaAs(001)量子ドット内へのアンチモンの導入により誘起された構造及び光学的変化

Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dots

著者 (16件)： TABOADA A. G. (CSIC, Madrid, ESP) ,  SANCHEZ A. M. (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  BELTRAN A. M. (Universidad de Cadiz, Cadiz, ESP) ,  BOZKURT M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  ALONSO-ALVAREZ D. (CSIC, Madrid, ESP) ,  ALEN B. (CSIC, Madrid, ESP) ,  RIVERA A. (CSIC, Madrid, ESP) ,  RIPALDA J. M. (CSIC, Madrid, ESP) ,  LLORENS J. M. (CSIC, Madrid, ESP) ,  MARTIN-SANCHEZ J. (CSIC, Madrid, ESP) ,  GONZALEZ Y. (CSIC, Madrid, ESP) ,  ULLOA J. M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  GARCIA J. M. (CSIC, Madrid, ESP) ,  GARCIA J. M. (Columbia Univ., NY, USA) ,  MOLINA S. I. (Universidad de Cadiz, Cadiz, ESP) ,  KOENRAAD P. M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 23  ページ： 235316.1-235316.9  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  MBE成長 ,  原子ビーム ,  アンチモン ,  化学組成 ,  変化 ,  光ルミネセンス ,  赤方偏移 ,  添加物効果 ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 形状変化

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  アンチモン ,  誘起 ,  光学