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J-GLOBAL ID：201102216588199137   整理番号：11A1618915

シリコン上のリン化インジウム薄膜によるフォトニック集積化

Photonic integration in indium-phosphide membranes on silicon

著者 (10件)： VAN DER TOL J. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD) ,  ZHANG R. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD) ,  PELLO J. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD) ,  BORDAS F. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD) ,  ROELKENS G. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD) ,  ROELKENS G. (Ghent Univ., Ghent, BEL) ,  AMBROSIUS H. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD) ,  THIJS P. (Philips Res. Eindhoven, Eindhoven, NLD) ,  KAROUTA F. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD) ,  SMIT M. (Eindhoven Univ. Technol.(TUE), Eindhoven, NLD)
資料名： IET Optoelectronics  (IET Optoelectronics)
巻： 5  号： 5  ページ： 218-225  発行年： 2011年10月 
JST資料番号： B0058E  ISSN： 1751-8768  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロニクスとフォトニクスを同一チップ上に集積化すればその利点は大きい。CMOS技術との親和性からSOIが適切と考えられるが,シリコンの間接バンドギャップの点でSOI単独では光接続に必要な光源と増幅器を扱いにくい。本論文の方法(IMOS)ではInP薄膜を用いる。この方法ではInP基板上の3個のエッチストップ層の上に200nmのInP薄膜を作成する。回路形成後にBCB(ベンゾシクロブテン)によりホスト基板にボンドしてInP基板を除去し,最後にエッチストップ層を取り除く。本方法によるデバイスの例を示す。

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *薄膜 ,  *SOI構造 ,  *光集積回路 ,  素子構造
準シソーラス用語： IMOS

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  リン化インジウム ,  薄膜 ,  集積化