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J-GLOBAL ID：201102216876203386   整理番号：11A0259934

DLTおよびICTS手法によるMFIS構造におけるMOCVD-TiO2およびZrO2絶縁層の特徴描写

Characterization of MOCVD-TiO2 and ZrO2 insulating layers in MFIS structures by DLTS and ICTS methods

著者 (4件)： FUJISAWA H ,  SUGATA M ,  SHIMIZU M ,  NIU H
資料名： JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
巻： 42  ページ： S1354-S1356  発行年： 2003年 
JST資料番号： O4216A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： DLT ,  手法 ,  MFIS構造 ,  MOCVD ,  TiO2 ,  ZrO2 ,  絶縁層