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J-GLOBAL ID：201102217009495800   整理番号：11A0292454

ポリビニルピロリドンゲート絶縁体をもつペンタセン電界効果トランジスタへの水分の影響

Effects of Moisture on Pentacene Field-Effect Transistors with Polyvinylpyrrolidone Gate Insulator

著者 (6件)： PARK Jaehoon (Hongik Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sin-Doo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Bong June (Inha Univ., Incheon, KOR) ,  CHOI Hyoung Jin (Inha Univ., Incheon, KOR) ,  KIM Dong Wook (Hongik Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Jong Sun (Hongik Univ., Seoul, KOR)
資料名： Molecular Crystals and Liquid Crystals  (Molecular Crystals and Liquid Crystals)
巻： 531  ページ： 314-320  発行年： 2010年 
JST資料番号： B0877A  ISSN： 1542-1406  CODEN： MCLCE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリビニルピロリドン(PVPy)ゲート絶縁体を有するペンタセンFETの,電気的特性に及ぼす雰囲気水分の影響を探査した。そのためにまずPVPy膜の誘電定数と電気的特性を,空気中室温下で測定した。またデバイスの正常化電界移動度,ならびに閾値下勾配をプロットした。その結果相対湿度の上昇が,デバイス性能に対し顕著な劣化を及ぼすことが分った。これらは層間への極性水分子の浸透作用が原因であり,PVPyの吸水性もOFETにおける特性劣化を促進していることをつきとめた。一方この劣化は,OFETの60°Cでの熱アニーリングで基本的に回復可能なことが判明した。

シソーラス用語： 湿潤 ,  *水分 ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  酸化膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  *相対湿度 ,  ポリビニルピロリドン ,  高分子薄膜 ,  ポリアセン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート絶縁体 ,  OFET

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリビニルピロリドン ,  ゲート絶縁体 ,  ペンタセン ,  電界効果トランジスタ ,  水分