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J-GLOBAL ID：201102217046612409   整理番号：11A1159838

低電気コンタクト抵抗を得るためのカーボンナノチューブへの黒鉛界面層の使用

Graphitic Interfacial Layer to Carbon Nanotube for Low Electrical Contact Resistance

著者 (9件)： CHAI Yang (Stanford Univ., USA) ,  CHAI Yang (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  HAZEGHI Arash (Stanford Univ., USA) ,  TAKEI Kuniharu (Univ. California at Berkeley, USA) ,  CHEN Hong-Yu (Stanford Univ., USA) ,  CHAN Philip C.H. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  CHAN Philip C.H. (Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN) ,  JAVEY Ali (Univ. California at Berkeley, USA) ,  WONG H.-S.Philip (Stanford Univ., USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 210-213  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 77K~300kの低温での小信号コンダクタンス測定を用いて,黒鉛界面層ありとなしのカーボンナノチューブ(CNT)素子中の電気輸送について調べた。黒鉛界面層を用いて,CNT表面を濡れ性にすることにより,金属-金属性CNT(m-CNT)間コンタクト抵抗を劇的に改善した。金属中アモルファス炭素(a-C)のNi触媒溶解により,黒鉛界面層を形成することにより,黒鉛層なしの同一コンタクトと比較して,金属とm-CNT間平均抵抗を7倍低減した。これにより,金属と金属性CNT間のオーミックコンタクトに向けて新しい道を開き,半導体性CNTとのオーミックコンタクトを形成する可能性もあることを示した。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *接触抵抗 ,  側壁 ,  *グラファイト ,  *炭素材 ,  電極 ,  *境界層 ,  電流電圧特性 ,  Ohm接触 ,  配線 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： 非晶質炭素 ,  金属電極

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気コンタクト ,  カーボンナノチューブ ,  黒鉛 ,  界面層