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J-GLOBAL ID：201102217120940375   整理番号：11A1401938

Inをドープしたβ-Zn_4Sb_3バルク熱電材料の合成及び熱電輸送特性

Preparation and Thermoelectric Transport Properties of In-doping β-Zn_4Sb_3 Bulk Thermoelectric Materials

著者 (4件)： Ma Bing (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan) ,  Cheng Sudan (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan) ,  Zhao Wenyu (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan) ,  Zhang Qingjie (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 25  号： 6  ページ： 598-602  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SbをInで置換した名目組成がZn_4Sb_(3-x)Inx(x=0~0.08,Δx=0.02)の一連のInをドープしたβ-Zn_4Sb_3ベースの材料を今報で設計した。単一相のInをドープしたβ-Zn_4Sb_3ベースの亀裂のないバルク材料を,真空溶融,炉冷却及び放電プラズマ焼結技術を組み合わせて合成した。300~700Kの温度範囲のZn_4Sb_(3-x)Inxの電気-及び熱輸送特性によって,Zn_4Sb_3化合物中のInによるSbの置換は,キャリア濃度及び電気伝導率の著しい増強をもたらし,高温於けるinstinct励起がほぼ完全に消失し,格子熱伝導率が顕著に低下することが判明した。x=0.04及び0.08のサンプルに対する格子熱伝導率は大変低く,700Kで僅か約0.21W/(mK)であった。全てのInをドープしたβ-Zn_4Sb_3ベースのバルク材料は,ドープしないβ-Zn_4Sb_3バルク材料に比べて大きなZT値を有していた。Zn_4Sb_(2.94)In_(0.06)に対して700Kで1.13の69%増加した大きなZT値を達成した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： インジウム ,  *熱電材料 ,  特性 ,  単相 ,  徐冷 ,  融解 ,  放電焼結 ,  キャリア密度 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： In ,  輸送特性 ,  単一相 ,  炉冷 ,  溶融 ,  キャリア濃度 ,  格子熱伝導率

分類 (1件)： 化学工業一般  (YA01010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  バルク ,  熱電材料 ,  輸送特性