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J-GLOBAL ID：201102217517345252   整理番号：11A1937946

スクリーン印刷で得たテトラポッド状ZnOウィスカ膜からの電界放出に及ぼす熱処理温度の影響

Influence of annealing temperature on field emission from tetrapod-shaped ZnO-whisker films obtained by screen printing

著者 (4件)： FAN X.m. (The Key Lab. of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering ...) ,  ZHANG H.g. (The Key Lab. of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering ...) ,  WANG J. (The Key Lab. of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering ...) ,  ZHOU Z.w. (The Key Lab. of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering ...)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 5-6  ページ： 400-404  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラポッド状酸化亜鉛ウィスカ膜エミッタをスクリーン印刷法を用いて酸化インジウムスズガラス基板上に製造した。テトラポッド状ウィスカZnO基エミッタの電界放出に及ぼす熱処理温度の影響を調べた。X線回折および走査型電子顕微鏡観察を堆積させた膜の構造と表面形態を特性化するために適用した。250°Cで熱処理したZnO基エミッタは,1μA/cm²の電流密度で2.6V/μmの最も低いターンオン電界,1mA/cm²の電流密度での5.2V/μmの最低閾値電界および高い電界放出向上係数4129を有する最高の電界放出特性を有することを見出した。さらに,均質な膜,1.7%の低い放出電流変動を有する微細で緻密な輝点を250°Cで熱処理したサンプルから得た。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  ホイスカ ,  *セラミック膜 ,  スクリーン印刷 ,  *電界放出 ,  熱処理

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： スクリーン印刷 ,  テトラポッド ,  ZnO ,  ウィスカ ,  電界放出 ,  熱処理温度