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J-GLOBAL ID：201102217576920244   整理番号：11A1301698

RFプラズマ支援分子線エピタキシーによって成長されたGaGdN/AlGaN多重量子ディスク

GaGdN/AlGaN multiple quantum disks grown by RF-plasma-assisted molecular-beam epitaxy

著者 (6件)： TAMBO H. (Osaka Univ., Osaka,. JPN) ,  HASEGAWA S. (Osaka Univ., Osaka,. JPN) ,  UENAKA M. (Osaka Univ., Osaka,. JPN) ,  ZHOU Y. K. (Osaka Univ., Osaka,. JPN) ,  EMURA S. (Osaka Univ., Osaka,. JPN) ,  ASAHI H. (Osaka Univ., Osaka,. JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 208  号： 7  ページ： 1576-1578  発行年： 2011年07月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自然酸化膜SiO₂のあるSi(001)基板上に,RFプラズマ支援分子線エピタキシー(RF-MBE)によってGaGdN/AlGaN多重量子ディスク(MQD)を製作し,構造的および磁気的な性質へのAlGaNディスク高さ依存性を調べて来た。GaGdN/AlGaN MQDのc配向の度合いとGd原子周囲におけるGa原子の組成は,AlGaN円盤なしで成長されたGaGdNナノロッドのそれらよりも良い。GaGdN/AlGaN MQDの飽和磁化がGaGdNナノロッドについてのそれらよりも大きいということもまた見い出された。この結果はGaGdNディスク中でキャリアが増加されて,それゆえに磁化特性が改善されたということを示唆する。

シソーラス用語： *MBE成長 ,  円板 ,  *磁性半導体 ,  アルミニウム化合物 ,  *窒化物 ,  *ガドリニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  飽和磁化 ,  磁性薄膜 ,  半導体薄膜 ,  ナノロッド
準シソーラス用語： 多重量子ディスク ,  窒化ガドリニウムガリウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： RFプラズマ ,  支援 ,  分子線エピタキシー ,  成長 ,  AlGaN ,  多重 ,  量子ディスク