文献

J-GLOBAL ID：201102218350448271   整理番号：11A1680084

pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の光応答特性

著者 (3件)： 工藤智人 (北大 量集セ) ,  岡崎拓行 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 46th-7th  ページ： 28  発行年： 2011年01月07日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *PN接合 ,  *リン化インジウム ,  *多孔質体 ,  素子構造 ,  半導体材料 ,  電流
準シソーラス用語： ドレイン電流

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： PN接合 ,  InP ,  多孔質構造 ,  光応答