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J-GLOBAL ID：201102218674341305   整理番号：11A0004892

変調pドープ量子ドットレーザ構造のエレクトロルミネセンスの研究

Electroluminescence Studies of Modulation p-Doped Quantum Dot Laser Structures

著者 (7件)： HASBULLAH N. F. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  HOPKINSON M. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  ALEXANDER R. R. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  HOGG R. A. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  DAVID J. P. R. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  BADCOCK T. J. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  MOWBRAY D. J. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46  号： 11-12  ページ： 1847-1853  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるpドーピングレベルによるInAs量子井戸中のドット(DWELL)レーザ構造に対する注入電流に関して,集積されたEL(エレクトロルミネセンス)強度(IEL)の依存性について研究した。単純なメサダイオードを用いて,注入電流の大きなダイナミックレンジと広い温度レンジをカバーするEL計測を実施した。温度依存EL計測により,温度の増加につれてIELが低減するが,この低減の大きさはドーピングレベルの増加につれて減少することを示した。これは,外部の正孔と注入された電子の間の増加したクーロン引力が原因であった。また,pドーピングの増加により,この構造の放射効率も改善した。増大した電子閉じ込め能力により,これを説明することができ,また,p型変調ドープQDレーザの改善された温度安定性を,実験的に観測できた。

シソーラス用語： *変調ドーピング ,  *半導体レーザ ,  *エレクトロルミネセンス ,  ヒ化インジウム ,  量子井戸レーザ ,  メサ構造 ,  ダイオード ,  ダイナミックレンジ ,  放射効率 ,  閉込め ,  安定性 ,  *量子ドットレーザ
準シソーラス用語： InAs ,  温度安定性 ,  変調ドープ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 変調 ,  ドープ ,  量子ドットレーザ ,  エレクトロルミネセンス ,  研究