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J-GLOBAL ID：201102219030850051   整理番号：11A0601435

p-Si基板上へのナノ構造n-ZnOのゾル-ゲル蒸着によるZnO/p-Siヘテロ接合フォトダイオード

ZnO/p-Si heterojunction photodiode by sol-gel deposition of nanostructure n-ZnO film on p-Si substrate

著者 (4件)： YAKUPHANOGLU Fahrettin (Firat Univ., Fac. of Arts and Sciences, Dep. of Physics, 23169 Elazig, TUR) ,  CAGLAR Yasemin (Anadolu Univ., Fac. of Sci., Dep. of Physics, 26470 Eskisehir, TUR) ,  CAGLAR Mujdat (Anadolu Univ., Fac. of Sci., Dep. of Physics, 26470 Eskisehir, TUR) ,  ILICAN Saliha (Anadolu Univ., Fac. of Sci., Dep. of Physics, 26470 Eskisehir, TUR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 3  ページ： 137-140  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造ZnO/p-Siダイオードの電気特性および光起電特性を研究した。このナノ構造ZnO/p-Siダイオードはゾル-ゲルスピンコーティング法を用いて作製され,その理想係数および障壁高さはそれぞれ3.18および0.78eVであることが分かっていた。ここで得たn理想係数は2以上であり,このことはこのダイオードが酸化物層および表面状態の存在により非理想挙動を示すことを指摘している。ZnOのナノ構造はZnO/p-Si界面の品質を改善させる。このダイオードは光起電挙動を示し,100mW/cm²の下で短絡電流I_scは1.87×10^-8Aであり,最大開回路電圧V_ocは0.26Vである。このナノ構造ZnO/p-Siダイオードは,ここで得た電子パラメータを含むフォトダイオードであると評価する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ヘテロ接合 ,  *フォトダイオード ,  *ナノ構造 ,  *ゾル-ゲル法 ,  光起電力 ,  スピンコーティング ,  ポテンシャル障壁 ,  電圧 ,  短絡電流 ,  酸化物 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 開路電圧 ,  酸化物薄膜

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si基板 ,  ナノ構造 ,  ZnO ,  ゾル-ゲル ,  蒸着 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  フォトダイオード