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J-GLOBAL ID：201102219295190410   整理番号：11A0136607

グラフェン電界効果トランジスタのゲート容量への上層誘電体の効果 その移動度測定とセンサ応用上の意義

Effect of Top Dielectric Medium on Gate Capacitance of Graphene Field Effect Transistors: Implications in Mobility Measurements and Sensor Applications

著者 (5件)： XIA J. L. (Arizona State Univ., AZ) ,  CHEN F. (Arizona State Univ., AZ) ,  WIKTOR P. (Arizona State Univ., AZ) ,  FERRY D. K. (Arizona State Univ., AZ) ,  TAO N. J. (Arizona State Univ., AZ)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 12  ページ： 5060-5064  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンで構成したFETのキャリア移動度が非常に変動する原因が荷電不純物の作用で,また高κ誘電体被覆による効率向上も誘電体のその荷電の静電遮蔽であろうとされて来た。グラフェン移動度の求め方から検討直した。ゲート電圧に対する全抵抗から接触抵抗を差し引いた抵抗値がキャリアの電圧誘起密度と残留密度(最小伝導率での密度)を用いて本来移動度を求めた。誘電体被覆で二桁も効率が上っても移動度はさほど上らないが,バックゲート静電容量が誘電体層のサイズに伴って劇的に高まる。従って従来被覆層で移動度が上がると判断したのは誤りで,静電容量の効果であった。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *被覆層 ,  *キャリア移動度 ,  *静電容量 ,  接触抵抗 ,  キャリア密度 ,  電場効果 ,  電気伝導率 ,  静電遮蔽 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  サイズ依存性 ,  効率向上 ,  *高k誘電体 ,  残留密度 ,  電圧誘起

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート容量 ,  上層 ,  誘電体 ,  移動度 ,  応用