文献
J-GLOBAL ID:201102219543344011
整理番号:11A0792609
RF/マイクロ波スイッチの現状
THE STATE OF RF/MICROWAVE SWITCHES
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著者 (1件):
資料名:
巻:
53
号:
11
ページ:
20,22,24,26,28,30,32,34,36
発行年:
2010年11月
JST資料番号:
C0035B
ISSN:
0192-6225
CODEN:
MCWJA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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RF及びマイクロ波スイッチは無線系において信号ルーティングのために広く用いられている。PINダイオードは最も古くから広く用いられた固体スイッチング素子であり,高電力・高周波数の分野においてIC FETスイッチよりも優れている。そのオン抵抗はバイアスにより1Ω以下から10kΩ以上まで変る。一つの制約はI層の厚みにもとづく低周波限界である。一方,数GHz以上で最良の性能を示すのはGaAs MMICである。SOS及びSOI CMOSスイッチの性能はGaAs MMICに匹敵し,コストと集積化の利点をもつ。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件):
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継電器・スイッチ
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