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J-GLOBAL ID：201102219822239368   整理番号：11A0132051

オプトエレクトロニック応用のための縁端が明確なナノワイヤ超格子中のバンド内吸収

Intraband photon absorption in edge-defined nanowire superlattices for optoelectronic applications

著者 (5件)： GOMEZ-CAMPOS F. M. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 ...) ,  RODRIGUEZ-BOLIVAR S. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 ...) ,  LUQUE-RODRIGUEZ A. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 ...) ,  LOPEZ-VILLANUEVA J. A. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 ...) ,  CARCELLER J. E. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 12  ページ： 124307  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂に埋込んだ縁端が明確な珪素量子細線のナノ周期構造の伝導ミニバンドエネルギー分散関係を計算した。主な目的は,例えば,光検出器や中間バンド太陽電池などのオプトエレクトロニック素子の要素に用いたときのこれらのナノ構造の挙動を予測することである。Schroedinger方程式を解く際に,各々の谷から生じる種々の電子状態及び非放物線性と異方性の影響を考慮した。これらの結果から,伝導バンドから生じるミニバンド間のこれらの遷移に対するバンド間光子吸収係数を調べた。最良の動作条件を確認するために,系のドーピング水準と偏光の影響を解析した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  ナノワイヤ ,  *超格子 ,  *吸収係数 ,  ドーピング ,  分散関係 ,  *伝導バンド ,  Schroedinger方程式 ,  電子状態 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： *光吸収係数

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  縁端 ,  ナノワイヤ ,  超格子 ,  バンド