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J-GLOBAL ID：201102220854148087   整理番号：11A1180028

超音波医療応用用新規の0.16μm 300V SOIBCD

A novel 0.16μm-300V SOIBCD for Ultrasound Medical Applications

著者 (6件)： SAMBI M. (STMicroelectronics TRD, Agrate Brianza(MI), ITA) ,  MERLINI D. (STMicroelectronics TRD, Agrate Brianza(MI), ITA) ,  GALBIATI P. (STMicroelectronics TRD, Agrate Brianza(MI), ITA) ,  BONERA E. (Universita degli Studi di Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  BELLETTI F. (STMicroelectronics TRD, Agrate Brianza(MI), ITA) ,  BELLETTI F. (Univ. Milano, Milano, ITA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 36-39  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規の0.16μmシリコン-オン-絶縁膜バイポーラ-CMOS-DMOS(SOIBCD8S)技術を開発し,300V以上の高破壊電圧(BV)を有する高電圧パワーMOSを集積化した。SOIBCDは,誘電膜により分離するBCD技術であり,SOIBCD8Sは,既存の接合分離(JI)から派生した。SOIBCD8Sは,超音波応用用に使用できるが,プラズマデイスプレーパネル(PDP)またはアクテイブマトリクス式有機発光ダイオード(AMOLED)デイスプレードライバー,車載音声増幅器とセンサーインタフェースなど,高電圧,JI BCDによる高度の集積化,低電力と雑音耐性を要求する全ASIC用にも使用可能である。0.16μm技術を用いた完全酸化膜充填トレンチにより生じた応力のシミュレーションと測定から,シリコン格子は完全であり,電気特性への何の影響も検出しないことを示した。また,350V以上の破壊電圧を測定した。さらに,機械的視点のみからは,その技術は安全であることを示した。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *超音波検査 ,  *バイポーラ集積回路 ,  *CMOS構造 ,  *MOSFET ,  酸化膜 ,  *CAD【計算機】 ,  Raman分光法 ,  応力測定 ,  トレンチカット【加工】 ,  電気絶縁 ,  *高電圧 ,  プラズマディスプレイ ,  発光ダイオード ,  有機半導体
準シソーラス用語： 医用超音波 ,  LDMOS ,  BOX ,  TCAD ,  AMOLED

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 超音波 ,  医療応用