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J-GLOBAL ID:201102221021684860   整理番号:11A0897309

谷-軌道分離を有する新規炭化ケイ素ベースのMOSキャパシタモデル

The New Silicon Carbide Based MOS Capacitor Model with the Valley-orbit Splitting
著者 (2件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 150-154  発行年: 2010年 
JST資料番号: C2084A  ISSN: 1000-3819  CODEN: GDYJE2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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谷-軌道分離を,炭化ケイ素ベースのMOSキャパシタモデルに導入した。谷-軌道分離の影響の下で,C-V曲線に及ぼすフラットなバンド電圧についてのキンク効果を減少した。加えて,C-V特性に及ぼす谷-軌道分離の影響は,増加しているドープ濃度または温度減少性によって高くなって,それはドナーエネルギー準位にも関係した。除去モードにおける表面電荷密度は増加して,弱い逆転モードにおいて,谷-軌道分離の影響の下で減少した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (5件):
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