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J-GLOBAL ID:201102221227436600   整理番号:11A0574742

培養リンドウ細胞における35Sプロモーターの後成的修飾

Epigenetic modifications of the 35S promoter in cultured gentian cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 180  号:ページ: 612-619  発行年: 2011年04月 
JST資料番号: C0945B  ISSN: 0168-9452  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アイルランド (IRL)  言語: 英語 (EN)
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先の研究では遺伝子導入リンドウ直物においてCaMV-35Sプロモーター特異的de novoメチル化に関連する厳密な遺伝子サイレンシングを見出した。特にヒストン修飾に関連して,de novoメチル化装置を詳細に分析するために,単形質転換事象から創作された35S駆動sGFP発現およびサイレンスリンドウ培養細胞系統を生産し,後生的分析に使用した。35Sエンハンサー領域(-148から-85)で低水準のde novoメチル化が検出されたが,sGFP発現一次誘導細胞懸濁培養(PS)は35Sプロモーター領域で低メチル化された。対照的に,遺伝子導入植物の葉組織から創作されたsGFPサイレンス再誘導細胞懸濁培養(RS)は35Sプロモーター領域で高メチル化された。クロマチン免疫沈殿分析は,RSにおいて,サイレンス35Sプロモーター領域のヒストンH3が脱アセチル化され,またリジン9上でジメチル化された。興味あることに,サイレンス35Sプロモーターの3’領域で,ヒストンH3リジン4のジメチル化も観察された。35S領域の低メチル化およびヒストンH3アセチル化がPSにおいて起きる時,35Sエンハンサー領域でのde novoメチル化が既に行われていた。de novoメチル化状態はまた5-アザ-2’-デオキシシチジン処理に抵抗性であった。これらの結果は,エンハンサー領域のde novoメチル化がヒストンH3脱アセチル化を誘起する35Sサイレンシングの一次過程であると示唆する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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細胞・組織培養法  ,  遺伝子発現 

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