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J-GLOBAL ID：201102221260333387   整理番号：11A0124936

6,13-ビス(4-プロピルフェニル)ペンタセン-ZnOのナノサイズ複合材料膜

The study of new p-n mixed semiconductors: 6,13-Bis(4-propylphenyl)pentacene-ZnO nano-sized composites films

著者 (6件)： HUANG Zhong (Inst. of Modern Catalysis, Beijing Univ. of Chemical Technol., State Key Lab. of Chemical Resource Engineering ...) ,  ZHANG Jingchang (Inst. of Modern Catalysis, Beijing Univ. of Chemical Technol., State Key Lab. of Chemical Resource Engineering ...) ,  ZHANG Jingchang (Hainan Inst. of Sci. and Technol., Haikou 571126, CHN) ,  XIUYINGYANG (Hainan Inst. of Sci. and Technol., Haikou 571126, CHN) ,  CAO Weiliang (Inst. of Modern Catalysis, Beijing Univ. of Chemical Technol., State Key Lab. of Chemical Resource Engineering ...) ,  CAO Weiliang (Hainan Inst. of Sci. and Technol., Haikou 571126, CHN)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 160  号： 23-24  ページ： 2648-2652  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連の6,13-ビス(4-プロピルフェニル)ペンタセン(BPP)-ZnOのナノサイズ複合材料の作製に成功した。そして,UV-visスペクトル,赤外スペクトル,X線回折スペクトル,サイクリックボルタンメトリー,X線光電子スペクトルなどにより特性評価した。これらのキャラクタリゼーションにより,BPPとZnOと間で相互作用が起こり,それが,多くの新規な特性を有するp-n型混合半導体の形成を導いていることを証明した。作成した半導体の禁止バンドギャップは1.09~1.29eVの間にあり,それはBPPとZnOのそれより非常に小さかった。BPP-ZnOナノサイズ複合材料と数種類の他の関連した複合材料との比較から,ペンタセン誘導体の禁止バンドギャップが低下して,p-n型混合半導体の禁止バンドギャップがより小さくなることが判明した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ナノ複合材料 ,  複合膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *ポリアセン ,  紫外可視吸収スペクトル ,  FTIR分光法 ,  X線回折 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  X線光電子スペクトル ,  有機半導体 ,  混晶半導体 ,  バンドギャップ ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： HOMO-LUMOギャップ ,  *ペンタセン誘導体

分類 (3件)： 四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： 6,13-ビス(4-プロピルフェニル)ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： ビス ,  ペンタセン ,  ZnO ,  ナノサイズ ,  複合材料膜